A Samsung és az IBM által bemutatott Vertical Transport Field Effect Transistors (VTFET) lényege, hogy a hagyományos chipekkel ellentétben a tranzisztorok nem a szilíciumlapkán fekszenek egymás mellett, hanem vertikálisan, egymásra rendeződve helyezkednek el a chipben - írja az Engadget. Ez lehetővé teszi, hogy egységnyi helyen a mainál jóval több tranzisztort helyezzenek el, ami a nemrég bemutatott Nanosheet technológiás chipeknek is új lökést adhat: az IBM szerint a VTFET technológiával készülő chipek akár 85 százalékkal kevesebb energiát fogyaszthatnak, mint a jelenlegi processzorok, így akár az is lehetségessé válik, hogy hetente csak egyszer kelljen töltenünk a telefonunkat. Az új technológia az olyan energiaigényes területeken is jelentős változást hozhat, mint a kriptobányászat, ami a lényegesen alacsonyabb energiafelhasználás miatt sokkal fenntarthatóbbá válhat.
Bár Gordon E. Moore, az Intel alapítója nem pontosan ezt mondta, a róla elnevezett Moore-törvényt a leggyakrabban úgy szokták idézni, hogy "az integrált áramkörökben található tranzisztorok száma 18 havonta (más források szerint kétévente - a szerk.) megduplázódik". Ez a szabály az elmúlt ötven évben igaznak is bizonyult: míg az 1971-ben bemutatott Intel 4004 processzorban mindössze 2300 tranzisztor volt, a mai processzorokban található tranzisztorok száma már a tízmilliárdot is jócskán meghaladja.
A Reuters beszámolója szerint ugyanezen a konferencián az Intel is beszámolt egy hasonló megoldásról, ami a 2020-as évek második felében érkezhet meg. Az Intel számításai szerint az egymásra rendezett tranzisztorokkal akár 30-50 százalékkal fogják tudni növelni az egységnyi helyen elférő tranzisztorok számát, amely kulcsfontosságú szerepet játszik abban, hogy a mainál lényegesen gyorsabb processzorokat tudjanak előállítani.
(Borítókép: Samsung/IBM)